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10DDA60

更新时间: 2024-01-29 06:52:58
品牌 Logo 应用领域
NIEC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
5页 95K
描述
DIODE - 1A 600V TJ = 150C

10DDA60 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流:45 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

10DDA60 数据手册

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拡散型シリコンダイオード  
Diffusion-type Silicon Rectifier Diode  
Axial Lead Type  
1A 600V Tjw150℃  
外 形 図  
10DDA60  
構造  
Construction  
用途  
拡散型シリコンダイオード,リード線型  
Diffusion-type Silicon Rectifier Diode  
一般整流用  
Application  
For General Use  
質量:0.32 g  
大定格 MAXIMUM RATINGS  
Item  
くり返しピーク逆電圧  
Repetitive peak reverse voltage  
Symbol  
VRRM  
Condition  
Max. Rated value  
Unit  
600  
V
50Hz 正弦半波  
50Hz half sine wave  
抵抗負荷  
Ta = 58  
Tl = 132℃  
*1  
1.0  
1.0  
平均整流電流  
Average rectified forward current  
IO  
A
Resistance load  
Tl:Lead Temperature)  
実効順電流  
R.M.S. forward current  
サージ順電流  
Surge forward current  
動作接合温度範囲  
Operating junction temperature range  
保存温度範囲  
Storage temperature range  
IF(RMS)  
IFSM  
Tjw  
1.57  
A
A
50Hz 正弦半波 1 サイクル 非くり返し  
50Hz half sine wave 1cycle, non-repetitive  
45  
40+150  
40+150  
Tstg  
■ 電気的・熱的特性 ELECTRICAL / THERMAL CHARACTERISTICS  
Item  
Symbol  
IRM  
Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
ピーク逆電流  
Tj=25℃  
VRM=VRRM  
IFM=1A  
μA  
10  
1.0  
91  
17  
Peak reverse current  
ピーク順電圧  
Tj=25℃  
VFM  
V
Peak forward voltage  
接合部・周囲間  
Junction to Ambient  
接合部・リード間  
Junction to Lead  
*1(単体フィン無し)  
Rth(j-a)  
Rth(j-l)  
熱抵抗  
/W  
Thermal resistance  
*1:単体フィン無し / Without Fin or P.C. Board mounted  

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