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10D2TA2B1

更新时间: 2024-01-06 05:33:34
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NIEC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 55K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41

10D2TA2B1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.74
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-PALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

10D2TA2B1 数据手册

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