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1003PLH120

更新时间: 2024-01-14 02:22:44
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NIEC /
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1页 107K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1570000mA I(T), 1200V V(DRM),

1003PLH120 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:DISK BUTTON, O-XXDB-X4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.69
Is Samacsys:N标称电路换相断开时间:30 µs
关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us最大直流栅极触发电流:400 mA
最大直流栅极触发电压:3 VJESD-30 代码:O-XXDB-X4
最大漏电流:120 mA通态非重复峰值电流:16000 A
端子数量:4最大通态电流:1570000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-45 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON认证状态:Not Qualified
断态重复峰值电压:1200 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:YES端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

1003PLH120 数据手册

  

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