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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | MP-45F | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.33 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ330(0)-AZ | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,20A I(D),TO-220VAR |
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| 2SJ330-AZ | NEC | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ331 | NEC | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SJ331-A | NEC | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ332(L) | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ332(S) | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252AA |
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