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2SJ329

更新时间: 2024-02-16 06:48:39
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日电电子 - NEC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 347K
描述
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

2SJ329 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:MP-45F包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.36雪崩能效等级(Eas):490 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):15 A
最大漏极电流 (ID):15 A最大漏源导通电阻:0.06 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SJ329 数据手册

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