5秒后页面跳转
2SJ328 PDF预览

2SJ328

更新时间: 2024-02-04 20:32:52
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 开关
页数 文件大小 规格书
6页 349K
描述
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

2SJ328 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SFM
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.18
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):20 A最大漏极电流 (ID):20 A
最大漏源导通电阻:0.06 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):80 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ328 数据手册

 浏览型号2SJ328的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SJ328的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SJ328的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SJ328的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SJ328的Datasheet PDF文件第6页 

与2SJ328相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SJ328-AZ NEC Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

获取价格

2SJ328-Z NEC SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

获取价格

2SJ329 NEC SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

获取价格

2SJ330 NEC SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

获取价格

2SJ330(0)-AZ RENESAS TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,20A I(D),TO-220VAR

获取价格

2SJ330-AZ NEC Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

获取价格