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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2SJ211-A

2SJ211-A PDF预览

2SJ211-A

更新时间： 2024-02-20 12:48:44

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关
页数	文件大小	规格书
6页	396K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN

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2SJ211-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.2 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SJ211-A 数据手册

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与2SJ211-A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ211-L-A	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,200MA I(D),SOT-346	获取价格
2SJ211-T1B	RENESAS	2SJ211-T1B	获取价格
2SJ211-T1B-AT	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,200MA I(D),SOT-346	获取价格
2SJ211-T2B	RENESAS	2SJ211-T2B	获取价格
2SJ212	NEC	P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING	获取价格
2SJ212	KEXIN	MOS Fied Effect Transistor	获取价格

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