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2SJ205

更新时间: 2024-02-18 12:37:55
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日电电子 - NEC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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6页 310K
描述
P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING

2SJ205 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:SC-62
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.38外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:16 V
最大漏极电流 (ID):0.5 A最大漏源导通电阻:5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e6元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SJ205 数据手册

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