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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | POMM | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.36 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | 最大漏源导通电阻： | 2.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ199-AY | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,1A I(D),SOT-89 |
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| 2SJ199-T1 | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,1A I(D),SOT-89 |
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| 2SJ199-T2 | NEC | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SJ199-T2 | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,1A I(D),SOT-89 |
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| 2SJ199-T2-AY | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,1A I(D),SOT-89 |
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| 2SJ200 | TOSHIBA | P CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION) |
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