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2SA1376-K

更新时间： 2024-02-23 14:35:53

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	105K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, SC-43B, 3 PIN

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2SA1376-K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-XBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.89	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	180 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-XBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1376-K 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTORS

2SA1376, 1376A

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR HIGH VOLTAGE AMPLIFIERS

FEATURES

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

•

High voltage

V^CEO: −180 V / −200 V

(2SA1376/2SA1376A)

Excellent h^FElinearity

•

High total power dissipation in small dimension:

P^T: 0.75 W

•

Complementary transistor with 2SC3478 and 2SC3478A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

2SA1376/2SA1376A

Parameter

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

I^C(pulse)*

P^T

Ratings

−200

−180/−200

−5

−100

−200

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

0.75

°C

T^j

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

2SA1376/2SA1376A

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

DC current gain

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB= −200 V, I^E= 0

V^EB= −5 V, I^C= 0

V^CE= −10 V, I^C= −10 mA

V^CE= −10 V, I^C= −100 mA

V^CE= −10 V, I^C= −10 mA

I^C= −50 mA, I^B= −5 mA

V^CB= −30 V, I^E= 0, f = 1.0 MHz

V^CE= −10 V, I^E= 10 mA

MIN.

TYP.

MAX.

−100

Unit

−

I^EBO

h^FE1**

h^FE2**

V^BE**

V^CE(sat)**

V^BE(sat)**

C^ob

135

300/200 600/400

−

DC current gain

−600

−650

−0.2

−0.8

3.5

−700

−0.3

−1.2

4.0

DC base voltage

Collector saturation voltage

Base saturation voltage

Output capacitance

Gain bandwidth product

Turn-on time

MHz

µs

f^T

120

0.16

1.5

I^C= −10 mA, I^B1= −I^B2= −1 mA,

V^CC= –10 V

t^on

Turn-off time

t^off

** Pulse test PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2% per pulsed

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Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16194EJ1V0DS00

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1376K-T	RENESAS	2SA1376K-T	获取价格
2SA1376L	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 180V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92	获取价格
2SA1376-L	NEC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	获取价格
2SA1376-L-A	NEC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	获取价格
2SA1376L-A	NEC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	获取价格
2SA1376L-T	RENESAS	2SA1376L-T	获取价格

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