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2SA1330O5

更新时间: 2024-01-01 06:54:19
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日电电子 - NEC /
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4页 193K
描述
BJT

2SA1330O5 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SC-59
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.28
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:200 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):90
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e6
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):120 MHz
Base Number Matches:1

2SA1330O5 数据手册

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