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2SA1330O5-T1B

更新时间： 2024-01-10 09:32:09

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	113K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN

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2SA1330O5-T1B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-59	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.28	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	90	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1330O5-T1B 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1330O5-T1B-A	NEC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMO	获取价格
2SA1330O5-T2B	NEC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMO	获取价格
2SA1330O5-T2B-A	NEC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMO	获取价格
2SA1330O6	NEC	BJT	获取价格
2SA1330-O6	KEXIN	PNP Transistors	获取价格
2SA1330O6-A	RENESAS	100mA, 200V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN	获取价格

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