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2SA1156K

更新时间: 2024-01-06 19:54:22
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日电电子 - NEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 170K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-126

2SA1156K 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.31
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:400 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):5000 ns最大开启时间(吨):1000 ns
Base Number Matches:1

2SA1156K 数据手册

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