2SA1069

更新时间： 2024-01-17 09:13:01

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日电电子 - NEC		/
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8页	60K
描述
2SA1069 2SA1069A

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2SA1069 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	40	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO

2SA1069 数据手册

データ・シート

シリコン・パワー・トランジスタ

Silicon Power Transistor

2SA1069, 1069A

PNP エピタキシアル形シリコン・トランジスタ

高速度スイッチング用

工業用

ꢀ2SA1069,1069A は，高速度スイッチング用として開発された

★

オーダ情報

モールド・パワー・トランジスタで，スイッチング・レギュレータ，

DC/DC コンバータ，高周波電力増幅機器などのドライバとして

最適です。

オーダ名称

パッケージ

2SA1069

TO-220AB

2SA1069A

特ꢀꢀ徴

(TO-220AB)

○コレクタ飽和電圧が小さい。

○スイッチング速度が速い。

絶対最大定格（T^A= 25°C）

項ꢀ目

略号

条ꢀ件

単位

2SA1069/2SA1069A

コレクタ – ベース間電圧

コレクタ – エミッタ間電圧

エミッタ – ベース間電圧

コレクタ電流（直流）

コレクタ電流 (パルス)

V^CBO

V^CEO

V^EBO

−80

−60 / –80

−12

I^C(DC)

I^C(pulse)

−5.0

PW ≦ 300 µs,

−10

Duty Cycle ≦10 %

ベース電流（直流）

全損失

I^B(DC)

P^T

−2.5

T^C= 25°C

T^A= 25°C

°C

1.5

ジャンクション温度

保存温度

T^j

150

–55～+150

T^stg

本資料の内容は，予告なく変更することがありますので，最新のものであることをご確認の上ご使用ください。

資料番号 D14855JJ3V0DS00（第3 版）

1988, 2000

本文欄外のꢀ印は，本版で改訂された主な箇所を示しています。

ꢀ(旧資料番号ꢀTC-5397A）

発行年月 May 2000 NS CP(K)

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与2SA1069相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1069A	NEC	2SA1069 2SA1069A	获取价格
2SA1069A	RENESAS	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING	获取价格
2SA1069A	JMNIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SA1069A	SAVANTIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SA1069A(0)-AZ	RENESAS	TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-220AB	获取价格
2SA1069A(0)-Z-AZ	RENESAS	TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-263ABVAR	获取价格