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2SA1069-K

更新时间: 2024-02-23 23:30:48
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC /
页数 文件大小 规格书
8页 60K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, MP-25, 3 PIN

2SA1069-K 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):5 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):40最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):30 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO

2SA1069-K 数据手册

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データ・シート  
シリコン・パワー・トランジスタ  
Silicon Power Transistor  
2SA1069, 1069A  
PNP エピタキシアル形シリコン・トランジスタ  
高速度スイッチング用  
工業用  
2SA1069,1069A は,高速度スイッチング用として開発された  
オーダ情報  
モールド・パワー・トランジスタで,スイッチング・レギュレータ,  
DC/DC コンバータ,高周波電力増幅機器などのドライバとして  
最適です。  
オーダ名称  
パッケージ  
2SA1069  
TO-220AB  
2SA1069A  
特ꢀꢀ徴  
(TO-220AB)  
レクタ飽和電圧が小さい。  
イッチング速度が速い。  
絶対最大定格(TA = 25°C)  
項ꢀ目  
略号  
条ꢀ件  
単位  
2SA1069/2SA1069A  
コレクタ ベース間電圧  
コレクタ エミッタ間電圧  
エミッタ ベース間電圧  
コレクタ電流(直流)  
コレクタ電流 (パルス)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
80  
60 / –80  
12  
V
V
V
A
A
IC(DC)  
IC(pulse)  
5.0  
PW 300 µs,  
10  
Duty Cycle 10 %  
ベース電流(直流)  
全損失  
IB(DC)  
PT  
2.5  
30  
A
TC = 25°C  
TA = 25°C  
W
W
°C  
°C  
1.5  
ジャンクション温度  
保存温度  
Tj  
150  
–55+150  
Tstg  
本資料の内容は,予告なく変更することがありますので,最新のものであることをご確認の上ご使用ください。  
資料番号 D14855JJ3V0DS003 版)  
1988, 2000  
本文欄外のꢀ印は,本版で改訂された主な箇所を示しています。  
(旧資料番号ꢀTC-5397A)  
発行年月 May 2000 NS CP(K)  

与2SA1069-K相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SA1069-K-AZ RENESAS 5A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, MP-25, 3 PIN

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2SA1069K-S RENESAS 2SA1069K-S

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2SA1069K-S-AZ RENESAS TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-220AB

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2SA1069K-Z RENESAS 2SA1069K-Z

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2SA1069K-Z-AZ RENESAS TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-263ABVAR

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2SA1069L ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220AB

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