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2SA1009A-M

更新时间: 2024-01-22 00:37:39
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 179K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

2SA1009A-M 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Transferred
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.17Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:400 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SA1009A-M 数据手册

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2SA1009-AZ RENESAS 2SA1009-AZ

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2SA1009H NEC TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220AB

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