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2SA1009-K

更新时间: 2024-02-12 05:32:40
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 182K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

2SA1009-K 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.17
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:350 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SA1009-K 数据手册

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2SA1009L NEC TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220AB

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