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2SA1007P

更新时间: 2024-02-10 03:11:19
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 111K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 130V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,

2SA1007P 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.77Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:130 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):160JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:100 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):50 MHz
VCEsat-Max:2 VBase Number Matches:1

2SA1007P 数据手册

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