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2S3M-CY

更新时间： 2024-02-03 13:10:00

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		栅栅极
页数	文件大小	规格书
5页	149K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PACKAGE-3

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2S3M-CY 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	ANODE
标称电路换相断开时间：	15 µs	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	10 V/us	最大直流栅极触发电流：	0.3 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大维持电流：	10 mA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	110 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	4 A
重复峰值关态漏电流最大值：	100 µA	断态重复峰值电压：	300 V
重复峰值反向电压：	300 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

2S3M-CY 数据手册

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与2S3M-CY相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2S3M-YA	NEC	Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLA	获取价格
2S3M-YB	NEC	Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLA	获取价格
2S3M-YC	NEC	Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLA	获取价格
2S4A_0505S1.5UP	GAPTEC	2W - Single Output - Fixed Input - Isolated & Unregulated	获取价格
2S4A_1.5UP	GAPTEC	2W - Single Output - Fixed Input - Isolated & Unregulated	获取价格
2S4A_2405S1.5U	GAPTEC	2W - Single Output - Fixed Input - Isolated & Unregulated	获取价格

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