5秒后页面跳转
2P6M-YA-AZ PDF预览

2P6M-YA-AZ

更新时间: 2024-02-17 12:10:13
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 局域网栅极
页数 文件大小 规格书
6页 396K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PACKAGE-2

2P6M-YA-AZ 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.82
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:0.2 mAJESD-30 代码:R-PSFM-T2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:4 A
断态重复峰值电压:600 V重复峰值反向电压:600 V
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

2P6M-YA-AZ 数据手册

 浏览型号2P6M-YA-AZ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2P6M-YA-AZ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2P6M-YA-AZ的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2P6M-YA-AZ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2P6M-YA-AZ的Datasheet PDF文件第6页 

与2P6M-YA-AZ相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2P6M-YB NEC Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLA

获取价格

2P6M-YC NEC Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLA

获取价格

2P6M-YC-AZ NEC Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PAC

获取价格

2PA1015 NXP PNP general purpose transistor

获取价格

2PA1015-AMMO NXP TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal

获取价格

2PA1015BL PHILIPS Transistor

获取价格