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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.73 |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 4 A | 断态重复峰值电压： | 600 V |
| 重复峰值反向电压： | 600 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2P6M-YA | NEC | Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PAC |
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| 2P6M-YA-AZ | NEC | Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PAC |
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| 2P6M-YB | NEC | Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLA |
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| 2P6M-YC | NEC | Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLA |
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| 2P6M-YC-AZ | NEC | Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PAC |
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| 2PA1015 | NXP | PNP general purpose transistor |
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