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2P1M-YA

更新时间: 2024-02-03 18:03:55
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日电电子 - NEC 栅极光电光电器件局域网
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1页 312K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLASTIC PACKAGE-2

2P1M-YA 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:10 V/us最大直流栅极触发电流:0.2 mA
最大直流栅极触发电压:0.8 V最大维持电流:3 mA
JEDEC-95代码:TO-202JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:110 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:4 A重复峰值关态漏电流最大值:100 µA
断态重复峰值电压:100 V重复峰值反向电压:100 V
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

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