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2P05M-CY

更新时间: 2024-01-20 15:00:46
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日电电子 - NEC 栅极
页数 文件大小 规格书
5页 156K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PACKAGE-3

2P05M-CY 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:10 V/us最大直流栅极触发电流:0.2 mA
最大直流栅极触发电压:0.8 V最大维持电流:3 mA
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:110 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:4 A
重复峰值关态漏电流最大值:100 µA断态重复峰值电压:50 V
重复峰值反向电压:50 V表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

2P05M-CY 数据手册

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