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24C02

更新时间: 2024-01-10 16:00:13
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 存储
页数 文件大小 规格书
20页 1827K
描述
存储芯片

24C02 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:WAFER
包装说明:DIE, WAFER针数:5
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.38
其他特性:2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED最大时钟频率 (fCLK):0.4 MHz
数据保留时间-最小值:200耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节:1010XXXRJESD-30 代码:R-XUUC-N5
JESD-609代码:e3内存密度:2048 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:5
字数:256 words字数代码:256
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256X8
输出特性:OPEN-DRAIN封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIE封装等效代码:WAFER
封装形状:RECTANGULAR封装形式:UNCASED CHIP
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
串行总线类型:I2C最大待机电流:0.0001 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.003 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最长写入周期时间 (tWC):10 msBase Number Matches:1

24C02 数据手册

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Two-wire  
Serial EEPROM  
K24C02C / K24C04 / K24C08C / K24C16B  
Spring 2011  

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