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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 配置： | SINGLE | 标称二极管电容： | 1.5 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 频带： | VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY | JESD-30 代码： | R-PDIP-T2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 最大功率耗散： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1SS104 | TOSHIBA | SILICON PLANAR TYPE DIODE |
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| 1SS104 | SUNMATE | Switching Diodes Switch detector |
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| 1SS106 | SEMTECH | SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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| 1SS106 | RENESAS | Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching |
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| 1SS106 | HITACHI | Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching |
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| 1SS106 | SUNMATE | Switching Diodes Switch detector |
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