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1S2209(B)

更新时间: 2024-01-31 18:21:39
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 37K
描述
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon, Hyperabrupt,

1S2209(B) 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83其他特性:HIGH RELIABILITY, MATCHED SETS AVAILABLE
配置:SINGLE二极管电容容差:3%
最小二极管电容比:4二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE频带:VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码:R-PDIP-T2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
变容二极管分类:HYPERABRUPTBase Number Matches:1

1S2209(B) 数据手册

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