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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 配置： | SINGLE | 最小二极管电容比： | 2.2 |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 频带： | VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY | JESD-30 代码： | R-PDIP-T2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 变容二极管分类： | HYPERABRUPT |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1S2207(B)LC | RENESAS | VHF-UHF BAND, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
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| 1S2207(B)MC | NEC | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon, Hyperabr |
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| 1S2208(B) | RENESAS | VHF-UHF BAND, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
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| 1S2208(B) | NEC | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon, Hyperabr |
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| 1S2209(B) | RENESAS | VHF-UHF BAND, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
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| 1S2209(B) | NEC | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon, Hyperabr |
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