5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > N02M083WL1AN-70I
N02M083WL1AN-70I PDF预览

N02M083WL1AN-70I

更新时间： 2024-01-29 10:26:26
品牌 Logo 应用领域
NANOAMP 医疗静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 213K
描述
2Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 256Kx8 bit

阅读下载

获取价格

N02M083WL1AN-70I 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：TSSOP, TSSOP32,.56,20Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.88最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G32
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8端子数量：32
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP32,.56,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL电源：2.5/3.3 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.00001 A
最小待机电流：1.8 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.012 mA表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

N02M083WL1AN-70I 数据手册

 浏览型号N02M083WL1AN-70I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号N02M083WL1AN-70I的Datasheet PDF文件第3页浏览型号N02M083WL1AN-70I的Datasheet PDF文件第4页浏览型号N02M083WL1AN-70I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号N02M083WL1AN-70I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号N02M083WL1AN-70I的Datasheet PDF文件第7页 
NanoAmp Solutions, Inc.  
670 North McCarthy Blvd. Suite 220, Milpitas, CA 95035  
ph: 408-935-7777, FAX: 408-935-7770  
www.nanoamp.com  
N02M083WL1A  
2Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM  
256Kx8 bit  
Overview  
Features  
The N02M083WL1A is an integrated memory  
device intended for non life-support (Class 1 or 2)  
medical applications. This device comprises a 2  
Mbit Static Random Access Memory organized as  
262,144 words by 8 bits. The device is designed  
and fabricated using NanoAmp’s advanced CMOS  
technology with reliability inhancements for  
• Single Wide Power Supply Range  
2.3 to 3.6 Volts  
• Low standby current  
3µA maximum at 3.6V  
• Very low operating current  
2 mA at 3.6V and 1Mhz (Typical)  
medical users. The base design is the same as  
NanoAmp’s N02M0818L2A, which has further  
reliability processing for life-support (Class 3)  
medical applications. The device operates with two  
chip enable (CE1 and CE2) controls and output  
enable (OE) to allow for easy memory expansion.  
The N02M083WL1A is optimal for various  
• Very low Page Mode operating current  
0.5mA at 3.6V and 1Mhz (Typical)  
• Simple memory control  
Dual Chip Enables (CE1 and CE2)  
Output Enable (OE) for memory expansion  
• Low voltage data retention  
Vcc = 1.8V  
applications where low-power is critical such as  
battery backup and hand-held devices. The device  
can operate over a very wide temperature range of  
• Automatic power down to standby mode  
• TTL compatible three-state output driver  
o
o
-40 C to +85 C and is available in JEDEC  
standard packages compatible with other standard  
256Kb x 8 SRAMs  
Product Family  
Standby  
Current  
Operating  
Current (Icc),  
Max  
Operating  
Power  
Part Number  
Package Type  
Speed  
Temperature Supply (Vcc)  
(ISB), Max  
N02M083WL1AN 32 - STSOP I  
N02M083WL1AD Known Good Die  
-40oC to +85oC  
2.3V - 3.6V 70ns @ 2.3V  
3.0 µA  
2.5 mA @ 1MHz  
Pin Configuration  
Pin Descriptions  
Pin Name  
A0-A17  
WE  
CE1, CE2  
OE  
I/O0-I/O7  
VCC  
VSS  
Pin Function  
OE  
32  
A11  
A9  
1
A10  
31  
Address Inputs  
Write Enable Input  
Chip Enable Input  
Output Enable Input  
Data Inputs/Outputs  
2
CE1  
30  
A8  
3
I/O7  
29  
A13  
WE  
CE2  
A15  
VCC  
4
I/O6  
28  
5
I/O5  
27  
6
I/O4  
26  
7
N02M083WL1A  
STSOP  
I/O3  
25  
8
VSS  
24  
9
A17  
A16  
A14  
A12  
A7  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
I/O2  
I/O1  
I/O0  
A0  
Power  
Ground  
A1  
A6  
A2  
A5  
A3  
A4  
Stock No. 23207-01 11/01/02  
The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.  
1
1234567...9

下载PDF

与N02M083WL1AN-70I相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
N0300N RENESAS MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

获取价格
N0300N-T1B-AT RENESAS MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

获取价格
N0300P-T1B-AT NEC Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

获取价格
N0301N RENESAS N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

获取价格
N0301N-T1-AT RENESAS N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

获取价格
N0301P RENESAS P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

获取价格

与N02M083WL1AN-70I相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证