是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | TSSOP, TSSOP32,.56,20 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.88 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 150 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
端子数量: | 32 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP32,.56,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 1.5/2 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.000001 A | 最小待机电流: | 1.2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.013 mA |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
N02M0818L1AN-85I | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 256Kx8 bit |
获取价格 |
|
N02M0818L1AW-150I | AMI | Standard SRAM, 256KX8, 150ns, CMOS, WAFER |
获取价格 |
|
N02M0818L1AW-85I | AMI | 256KX8 STANDARD SRAM, 85ns, UUC, WAFER |
获取价格 |
|
N02M0818L2A | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 256Kx8 bit |
获取价格 |
|
N02M0818L2AD | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 256Kx8 bit |
获取价格 |
|
N02M0818L2AD-85I | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 256Kx8 bit |
获取价格 |