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N02L1618C1AT-70I

更新时间： 2024-02-23 05:06:23

品牌	Logo	应用领域
NANOAMP		内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	263K
描述
2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit

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N02L1618C1AT-70I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	TSOP, TSOP44,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	端子数量：	44
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	1.8/2 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.000005 A
最小待机电流：	1.2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.017 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

N02L1618C1AT-70I 数据手册

NanoAmp Solutions, Inc.

N02L1618C1A

670 North McCarthy Blvd. Suite 220, Milpitas, CA 95035

ph: 408-935-7777, FAX: 408-935-7770

www.nanoamp.com

Advance Information

2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM

128Kx16 bit

Overview

Features

The N02L1618C1A is an integrated memory

device containing a 2 Mbit Static Random Access

Memory organized as 131,072 words by 16 bits.

The device is designed and fabricated using

NanoAmp’s advanced CMOS technology to

provide both high-speed performance and ultra-low

power. The base design is the same as

• Single Wide Power Supply Range

1.65 to 2.2 Volts

• Very low standby current

0.5µA at 1.8V (Typical)

• Very low operating current

1.4mA at 1.8V and 1µs (Typical)

NanoAmp’s N02L163WN1A, which is processed to

operate at higher voltages. The device operates

with a single chip enable (CE) control and output

enable (OE) to allow for easy memory expansion.

Byte controls (UB and LB) allow the upper and

lower bytes to be accessed independently. The

N02L1618C1A is optimal for various applications

where low-power is critical such as battery backup

and hand-held devices. The device can operate

• Very low Page Mode operating current

0.5mA at 1.8V and 1µs (Typical)

• Simple memory control

Single Chip Enable (CE)

Byte control for independent byte operation

Output Enable (OE) for memory expansion

• Low voltage data retention

Vcc = 1.2V

• Very fast output enable access time

over a very wide temperature range of -40 C to

30ns OE access time

+85 C and is available in JEDEC standard

• Automatic power down to standby mode

• TTL compatible three-state output driver

packages compatible with other standard 128Kb x

16 SRAMs.

• Compact space saving BGA package avail-

able

Product Family

Standby

Power

Supply

(Vcc)

Operating

Current (Icc),

Max

Operating

Current (I_SB),

Part Number

Package Type

Speed

Temperature

Max

N02L1618C1AB

48 - BGA

N02L1618C1AB2 Green 48-BGA

N02L1618C1AT2 Green 44-TSOP2

70/85ns @

1.65V

-40^oC to +85^oC

1.65V - 2.2V

10 µA

3 mA @ 1MHz

N02L1618C1AT

44 - TSOP2

(DOC# 14-02-012 REV B ECN# 01-1274)

The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.

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与N02L1618C1AT-70I相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
N02L1618C1AT-85I	AMI	Standard SRAM, 128KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	获取价格
N02L163WC2A	NANOAMP	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12	获取价格
N02L163WC2AB	NANOAMP	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12	获取价格
N02L163WC2AB2	NANOAMP	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12	获取价格
N02L163WC2AB2-55I	NANOAMP	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48	获取价格
N02L163WC2AB2-55I	AMI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, GREEN, BGA-48	获取价格

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