是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP1 |
包装说明: | GREEN, TSOP1-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.83 |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 2.5/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.25 mm |
最大待机电流: | 0.00001 A | 最小待机电流: | 1.8 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.016 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
N02L083WC2AT-55I | NANOAMP | Standard SRAM, 256KX8, 55ns, CMOS, PDSO32 |
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N02L1618C1A | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit |
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N02L1618C1AB | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit |
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N02L1618C1AB2 | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit |
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N02L1618C1AB2-70I | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit |
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N02L1618C1AB2-85I | AMI | Standard SRAM, 128KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, GREEN, BGA-48 |
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