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MGP5N60E PDF预览

MGP5N60E

更新时间： 2024-02-14 05:39:15

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		局域网电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	324K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

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MGP5N60E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	门极发射器阈值电压最大值：	8 V
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	62 W	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

MGP5N60E 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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