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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.69 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 35 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.4 A | 最大漏源导通电阻： | 1.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-39 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 6.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6659B-1 | VISHAY | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N6659B-2 | VISHAY | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N6660 | SUPERTEX | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| 2N6660 | MOTOROLA | TMOS SWITCHING FET TRANSISTORS |
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| 2N6660 | VISHAY | N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs |
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| 2N6660 | SEME-LAB | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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