生命周期: | Obsolete | 包装说明: | PRESSFIT-2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.84 |
配置: | SINGLE | 换向电压的临界上升率-最小值: | 2 V/us |
关态电压最小值的临界上升速率: | 20 V/us | 最大直流栅极触发电流: | 50 mA |
最大直流栅极触发电压: | 2.5 V | 最大维持电流: | 75 mA |
JESD-30 代码: | O-MUPF-D2 | 最大漏电流: | 2 mA |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 100 °C | 最低工作温度: | -60 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | PRESS FIT | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 15 A | 断态重复峰值电压: | 400 V |
子类别: | TRIACs | 表面贴装: | NO |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
触发设备类型: | TRIAC | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N5573 | NJSEMI | TRIAC, V(DRM) = 200V TO 299.9V |
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2N5573 | MOTOROLA | SILICON BIDIRECTIOANAL TRIODE THYRISTORS |
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2N5574 | MOTOROLA | SILICON BIDIRECTIOANAL TRIODE THYRISTORS |
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2N5574 | NJSEMI | 5-A SILICON TRIAC |
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2N5575 | NJSEMI | SI NPN POWER BJT, I(C) |
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2N5575 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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