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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.3 | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V | JEDEC-95代码： | DO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 800 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 40 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N1186RAPBFREE | CENTRAL | Rectifier Diode, |
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| 1N1186RATIN/LEAD | CENTRAL | Rectifier Diode, |
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|
| 1N1186RE3 | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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|
| 1N1187 | AMERICASEMI | DEVICE HIGH POWER STANDARD |
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| 1N1187 | ASI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 300V V(RRM), Silicon, DO-5, DO-5, 1 PIN |
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|
| 1N1187 | MICROSEMI | Silicon Power Rectifier |
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