是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | DO-5 | 包装说明: | O-MUPM-D1 |
针数: | 1 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.45 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
应用: | GENERAL PURPOSE | 外壳连接: | ANODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.3 V |
JEDEC-95代码: | DO-203AB | JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值正向电流: | 800 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 1 | 最高工作温度: | 200 °C |
最大输出电流: | 40 A | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 100 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
1N1184RAPBF | VISHAY | 暂无描述 |
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1N1184RAPBFREE | CENTRAL | Rectifier Diode, |
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1N1184RE3 | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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1N1184RPBF | VISHAY | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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1N1185 | NJSEMI | Silicon Power Rectifier |
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1N1185 | MICROSEMI | Silicon Power Rectifier |
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