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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.49 |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V |
| JEDEC-95代码： | DO-5 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 800 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 40 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 50 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N1183RAPBF | INFINEON | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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| 1N1183RAPBF | VISHAY | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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| 1N1183RAPBFREE | CENTRAL | Rectifier Diode, |
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| 1N1184 | INFINEON | 35,40,and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes |
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| 1N1184 | VISHAY | Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A/40 A/60 A |
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| 1N1184 | NJSEMI | Silicon Power Rectifier |
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