5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 10 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高频带： | C BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 53.5 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 7 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MGFC40V6472_04 | MITSUBISHI | 6.4 - 7.2GHz BAND 10W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
获取价格 |
|
| MGFC40V6472-51 | MITSUBISHI | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
获取价格 |
|
| MGFC40V6472A | MITSUBISHI | 6.4 - 7.2GHz BAND 10W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
获取价格 |
|
| MGFC40V6472A-51 | MITSUBISHI | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
获取价格 |
|
| MGFC40V7177 | MITSUBISHI | 7.1 - 7.7GHz BAND 10W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
获取价格 |
|
| MGFC40V7177A | MITSUBISHI | 7.1 - 7.7GHz BAND 10W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
获取价格 |
|
74HC04芯片引脚图及功能、应用电路图讲解
CR6842芯片参数、引脚配置、应用电路图详解
国产PoE供电芯片选型替代指南，你想要的都在这里！
LM2596可调稳压器引脚功能及电路原理图
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
