5秒后页面跳转
2SK381-11-E PDF预览

2SK381-11-E

更新时间: 2024-01-30 08:39:38
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 145K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, PLASTIC PACKAGE-3

2SK381-11-E 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.83
配置:SINGLEFET 技术:JUNCTION
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK381-11-E 数据手册

 浏览型号2SK381-11-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK381-11-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK381-11-E的Datasheet PDF文件第4页 

与2SK381-11-E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SK3811-ZP NEC SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

获取价格

2SK3811-ZP-E2-AY RENESAS TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,110A I(D),TO-263AB

获取价格

2SK3812 NEC SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

获取价格

2SK3812-ZP NEC SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

获取价格

2SK3812-ZP RENESAS Nch Single Power Mosfet 60V 110A 2.8Mohm Mp-25Zp/To-263

获取价格

2SK3813 TYSEMI Low On-state resistance RDS(on)1 = 5.3 m MAX. Low C iss: C iss = 5500 pF TYP.

获取价格