2SK2975

更新时间： 2024-02-04 03:06:01

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三菱 - MITSUBISHI		晶体放大器射频场效应晶体管功率放大器
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描述
RF POWER MOS FET(VHF/UHF power amplifiers)

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2SK2975 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CHIP CARRIER, R-CXCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	30 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CXCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UNSPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2975 数据手册

MITSUBISHI RF POWER MOS FET

2SK2975

DESCRIPTION

2SK2975 is a MOS FET type transistor specifically designed for

Dimensions in mm

OUTLINE DRAWING

VHF/UHF power amplifiers applications.

INDEX MARK

(TOP)

(BOTTOM)

FEATURES

• High power gain:Gpe³ 8.4dB

@VDD=9.6V,f=450MHz,Pin=30dBm

• High efficiency:55% typ.

• Source case type seramic package

(connected internally to source)

2.0

4.9

t=1.2MAX

3.50

APPLICATION

For drive stage and output stage of power amplifiers in VHF/UHF

band portable radio sets.

1 : DRAIN

2 : SOURCE

3 : GATE

MARKING

INDEX

MARK

TYPE No.

LOT No.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25˚C, unless otherwise noted)

Ratings

Parameter

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Channel dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Conditions

Unit

Symbol

VDSS

VGSS

Pch

±20

Tc=25˚C

(Note2)

˚C

175

Tstg

-40 to +110

Note1: Above parameters are guaranteed independently.

2: Solder source pad on Copper Block(14´ 2.8´ 2mm)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25˚C, unless otherwise noted)

Limits

Typ

Symbol

Parameter

Test conditions

Unit

Min

1.0

Max

µA

VDS=17V, VGS=0V

VGS=10V, VDS=0V

VDS=7V, IDS=1mA

IDSS

IGSS

VTH

Ciss

Coss

1.7

Threshold voltage

VGS=10V, VDS=0V,f=1MHz

VDS=10V, VGS=0V,f=1MHz

Pout

VDS=9.6V, Pin=1W,f=450MHz

Note: Above parameters,ratings,limits and conditions are subject to change.

Nov. ´97

12 3

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