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晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器局域网 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 122K |  |
| 描述 | ||
| NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) | ||
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-39 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.81 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码： | TO-39 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 2.5 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.68 W | 最小功率增益 (Gp)： | 13 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC752 | TOSHIBA | TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS) |
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| 2SC752(G)TM | TOSHIBA | TRANSISTOR 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, BI |
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| 2SC752(G)TM-O | TOSHIBA | TRANSISTOR 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, BI |
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| 2SC752(G)TM-R | TOSHIBA | TRANSISTOR 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, BI |
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| 2SC752(G)TM-Y | TOSHIBA | TRANSISTOR 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, BI |
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| 2SC752GTM | TOSHIBA | Ultra High Speed Switching Applications Computer, Counter Applications |
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