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2SC730

更新时间: 2024-01-07 00:50:42
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三菱 - MITSUBISHI 晶体射频双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 123K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

2SC730 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-39
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数:3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.84Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY最大集电极电流 (IC):0.4 A
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-39
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:175 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:3 W最大功率耗散 (Abs):1 W
最小功率增益 (Gp):10 dB认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SC730 数据手册

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