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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC3133

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2SC3133

更新时间： 2024-02-06 20:31:16

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
3页	132K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

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2SC3133 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.45
Is Samacsys：	N	外壳连接：	EMITTER
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	20 W
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SC3133 数据手册

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2SC3134-4	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 150MA I(C) \| SOT-23	获取价格
2SC3134-5	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 150MA I(C) \| SOT-23	获取价格
2SC3134-6	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 150MA I(C) \| SOT-23	获取价格

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