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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| 外壳连接： | EMITTER | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 17 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 20 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 7.6 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC3022 | NJSEMI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
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| 2SC3022 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
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| 2SC3025 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3025 | HITACHI | HIGH VOLTAGE POWER SWITCHING CHARACTER DISPLAY HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT |
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| 2SC3025 | ISC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3026 | HITACHI | HIGH VOLTAGE POWER SWITCHING CHARACTER DISPLAY HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT |
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