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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, R-CQPM-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 17 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-CQPM-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 60 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 3 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 9.3 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | QUAD |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC2630 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR) |
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| 2SC2631 | PANASONIC | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency high breakdown voltage amplification) |
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| 2SC2631R | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-226AA |
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| 2SC2631S | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-226AA |
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| 2SC2632 | PANASONIC | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency high breakdown voltage amplification) |
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| 2SC2632R | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92VAR |
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