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2SC2538

更新时间: 2024-02-25 11:19:00
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三菱 - MITSUBISHI 晶体晶体管局域网
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3页 126K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)

2SC2538 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92L
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):0.4 A集电极-发射极最大电压:17 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:135 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:3 W最大功率耗散 (Abs):0.7 W
最小功率增益 (Gp):10 dB认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON

2SC2538 数据手册

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