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2SC2134

更新时间: 2024-01-14 16:47:29
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三菱 - MITSUBISHI 晶体射频双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 149K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)

2SC2134 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.81Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:EMITTER
最大集电极电流 (IC):10 A集电极-发射极最大电压:35 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F6
元件数量:1端子数量:6
最高工作温度:175 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:120 W
最小功率增益 (Gp):7 dB认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SC2134 数据手册

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