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2SC2133

更新时间: 2024-02-24 05:33:50
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三菱 - MITSUBISHI 晶体放大器射频双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 149K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers in UHF band 24 to 28 volts operation applications)

2SC2133 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
针数:6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.82Is Samacsys:N
外壳连接:EMITTER最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:35 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F6元件数量:1
端子数量:6最高工作温度:175 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:75 W最大功率耗散 (Abs):3.8 W
最小功率增益 (Gp):8.2 dB认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SC2133 数据手册

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