生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-92L |
包装说明: | TO-92L, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 5.82 |
最大集电极电流 (IC): | 1 A | 集电极-发射极最大电压: | 35 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 35 |
JEDEC-95代码: | TO-92 | JESD-30 代码: | O-PBCY-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 135 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 0.8 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SC2088 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
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2SC2091 | ETC | HIGH FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
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2SC2092 | ETC | HIGH FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
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2SC2094 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers in VHF band Mobile radio applications) |
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2SC2097 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers in HF band Mobile radio applications) |
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2SC2098 | TOSHIBA | SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR |
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