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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.65 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | EMITTER |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 17 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 最小功率增益 (Gp)： | 6.7 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC1968 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
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| 2SC1968A | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on UHF band Mobile radio applications) |
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| 2SC1969 | ISC | isc Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SC1969 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on HF band Mobile radio applications) |
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| 2SC1969A | MITSUBISHI | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SC1969B | ISC | Transistor |
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